采用ftref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度非常高
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要高于采用ft指標(biāo)的晶體振蕩器,故ftref指標(biāo)的晶體振蕩器售價(jià)較高。
負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率FL的有效外界電容，用CL表示。
負(fù)載電容系列：8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF
激勵(lì)電平：晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。激勵(lì)電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等
老化率：在確定時(shí)間內(nèi)輸出頻率的相對(duì)變化。
基頻：在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率。
泛音：晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
